特点：

 500V-1200V 超结MOSFET

 RDS(ON) 0.04Ω-7Ω

 深沟槽& 多次外延 超洁MOSFET技术

优势：

 800V, 900V 系列

 小尺寸SOT223, PDFN8*8 

 C4 系列 超结 MOSFET